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显微PL光谱测量系统

显微PL光谱测量系统

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Andor

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光致发光(photoluminescence)即PL,是用紫外、可见或红外辐射激发发光材料而产生的发光,在半导体材料的发光特性测量应用中通常是用激光(波长如325nm、532nm、785nm等)激发材料(如GaN、ZnO、GaAs等)产生荧光,通过对其荧光光谱(即PL谱)的测量,分析该材料的光学特性,如禁带宽度等。光致发光可以提供有关材料的结构、成分及环境原子排列的信息,是一种非破坏性的、高灵敏度的分析方法,因而在物理学、材料科学、化学及分子生物学等相关领域被广泛应用。

传统的荧光光谱仪一般采用透镜收光的方式,针对发光非常微弱的纳米材料,即便用激光器激发,也很难获得较好的信号。结合多年的实际测样经验,良允科仪推出了显微PL系统,采用显微物镜收光,较传统的荧光光谱仪其收光效率提升了至少3个数量级,因此特别适用于传统荧光系统难以检测到的微弱信号,另外其辅助的白光成像功能,还可以实现微区(微米级)定位测量。 

  

应用领域:

·  半导体材料

·  纳米材料

·  薄膜材料

·  光波导器件

·  LD, LED外延片


产品特点:

·  光谱范围:200-1700nm

·  光斑大小:≤10μm(325nm激光、100X物镜)

·  光谱分辨率:优于0.1nm

·  白光成像分辨率:亚微米级

·  激光器:266nm、325nm、360nm、405nm、488nm、510nm、532nm、633nm、785nm等可选

·  样品台:手动/电动可选

·  采谱模式:单点扫描/线扫描可选


系统功能

·  微区PL测量

·  可同时配置多路激光器

·  自由光路耦合,保障最大光效率

·  显微光路设计,保障最大激发、收集效率

·  高精度位移台,实现微米级定位测量


扩展功能:

·  微区电致发光(EL)测量

·  荧光寿命测量:ps-ms量级

·  自动Mapping功能:50mm×50mm行程,步进精度1μm

·  光电流谱(成像)测量

·  光电材料响应度测试

·  变温附件:77K-600℃/4K、10K超低温


实测案例:

样品(粉末):8%Ag2S/SnS2-ND

激发光源:405nm激光器,积分时间:0.5s;


AlGaN宽禁带半导体材料



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